सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तैयारी प्रौद्योगिकी

सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट तैयारी तकनीकों में PVT विधि (भौतिक वाष्प परिवहन विधि), समाधान विधि और उच्च तापमान वाष्प रासायनिक जमाव विधि शामिल हैं। वर्तमान में, वाणिज्यिक सिलिकॉन कार्बाइड एकल क्रिस्टल विकास PVT ​​विधि का उपयोग करता है। सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट सिलिकॉन कार्बाइड पाउडर को संश्लेषित करने के लिए कच्चे माल के रूप में उच्च शुद्धता वाले कार्बन पाउडर और उच्च शुद्धता वाले सिलिकॉन पाउडर का उपयोग करता है। एक विशेष तापमान क्षेत्र के तहत, परिपक्व भौतिक वाष्प संचरण विधि (PVT विधि) का उपयोग विभिन्न आकारों के सिलिकॉन कार्बाइड सिल्लियों को विकसित करने और इलेक्ट्रोस्टैटिक प्रसंस्करण से गुजरने के लिए किया जाता है। , क्रिस्टल पिंड काटना, वेफर पीसना, चमकाना और सफाई, आदि कई प्रसंस्करण प्रक्रियाओं के माध्यम से बनाए जाते हैं।