प्राइमएक्सिस मोनो सिलिकॉन इनगॉट

प्राइमएक्सिस मोनो सिलिकॉन इनगॉट

प्राइमएक्सिस मोनो सिलिकॉन इनगॉट को प्रीमियम सौर कोशिकाओं और उच्च वोल्टेज बिजली उपकरणों के लिए इंजीनियर किया गया है जहां स्रोत पर इलेक्ट्रॉन पुनर्संयोजन को कम से कम किया जाना चाहिए। यह मानते हुए कि खींचने की प्रक्रिया के दौरान अभिविन्यास बहाव गैर-समान प्रसार का प्राथमिक कारण है, इन सिल्लियों को एक मालिकाना स्थिरीकृत बीज प्रोटोकॉल का उपयोग करके उगाया जाता है जो क्रिस्टलीय जाली को एक आदर्श $ में लॉक कर देता है।<100>$ या $<111>$ संरेखण. यह वाहक जीवनकाल में बेहद कम दोष सांद्रता और तीव्र एकरूपता सुनिश्चित करता है, जिससे बेहतर खुले {{1}सर्किट वोल्टेज ($V_{oc}$) के साथ कोशिकाओं के निर्माण को सक्षम किया जा सकता है। तार काटने के दौरान यांत्रिक मजबूती से अत्यधिक पतले वेफर उत्पादन (नीचे तक) की अनुमति मिलती है90 μm) उच्च गति स्वचालित वातावरण में टूटने के नुकसान को कम करते हुए। स्वचालित वेफ़रिंग सुविधाओं में निर्बाध एकीकरण के लिए कस्टम प्रतिरोधकता रेंज, डोपेंट प्रकार (एन - प्रकार / पी - प्रकार), और व्यास विनिर्देश उपलब्ध हैं, जो यह सुनिश्चित करते हैं कि प्रत्येक पिंड टियर -1 निर्माताओं के लिए "तैयार {{4} से - स्लाइस" संपत्ति के रूप में कार्य करता है।

उच्च-स्थिरता बीज अभिविन्यास नियंत्रण:हमारी प्राइमएक्सिस तकनीक विकास के दौरान जाली को मुड़ने से रोकने के लिए लेज़र से संरेखित बीज स्थिति और वास्तविक समय रोटेशन मुआवजे का उपयोग करती है। इसके परिणामस्वरूप पूर्णतया एकसमान क्रिस्टलीय "कंकाल" वाला एक पिंड बनता है, जो उच्च -दक्षता वाले N- प्रकार की कोशिकाओं के लिए महत्वपूर्ण आवश्यकता है जो सटीक फॉस्फोरस या बोरान डोपिंग की मांग करते हैं।

कैरियर जीवनकाल में तीव्र एकरूपता:चार्ज जाल के रूप में कार्य करने वाले सूक्ष्म अव्यवस्थाओं को समाप्त करके, प्राइमएक्सिस सिल्लियां केंद्र से किनारे तक एक "फ्लैट" लाइन लाइफटाइम प्रोफ़ाइल प्राप्त करती हैं। यह एकरूपता सुनिश्चित करती है कि एक ही बैच के सभी वेफर्स टेक्सचरिंग और पैसिवेशन पर समान रूप से प्रतिक्रिया करते हैं, जिससे बिनिंग प्रक्रिया सरल हो जाती है और "चैंपियन" कोशिकाओं का प्रतिशत बढ़ जाता है।

90μm स्लाइसिंग के लिए यांत्रिक मजबूती:2026 में अल्ट्रा{1}पतले सिलिकॉन की ओर धकेलने के लिए डिज़ाइन किए गए, इन सिल्लियों में एक पूर्व{2}तनावग्रस्त संरचनात्मक प्रोफ़ाइल होती है जो विकृत होने का प्रतिरोध करती है। यह यांत्रिक अखंडता न्यूनतम उप-{5}सतह क्षति (एसएसडी) के साथ तेज़ वायर-आरी फ़ीड दरों की अनुमति देती है, निर्माता की शुद्ध पुनर्प्राप्ति दर की रक्षा करती है और प्रति वेफर की कुल लागत को कम करती है।

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