सिलिकॉन एपिटैक्सी सबस्ट्रेट्स

सिलिकॉन एपिटैक्सी सबस्ट्रेट्स

ये सिलिकॉन एपिटैक्सी सब्सट्रेट्स सावधानीपूर्वक हैंएपिटैक्सियल परत के विकास के लिए डिज़ाइन किया गया, उन्नत पावर और लॉजिक डिवाइस एकीकरण के लिए उच्च शुद्धता वाले क्रिस्टलीय टेम्पलेट के रूप में कार्य करता है। परिशुद्धता Czochralski (CZ) पुलिंग और अल्ट्रा{2}}स्वच्छ पॉलिशिंग अनुक्रमों का उपयोग करके निर्मित, हमारे सबस्ट्रेट्स एक असम्बद्ध सतह वातावरण सुनिश्चित करते हैं। अर्धचालकों की अगली पीढ़ी में उच्च गुणवत्ता वाले होमोएपिटैक्सियल और हेटेरोएपिटैक्सियल जमाव को प्राप्त करने के लिए यह परमाणु स्तर की चिकनाई मूलभूत आवश्यकता है।

उच्च गुणवत्ता वाले जमाव के लिए अनुकूलित सतह:नियंत्रित सतह और क्रिस्टल अभिविन्यासएक आदर्श न्यूक्लियेशन वातावरण प्रदान करने के लिए अनुकूलित किया गया है। सख्ती से शासन करकेऑफ-कट एंगल(गलत अभिविन्यास) मिलिडिग्री परिशुद्धता के साथ, हम एक चरणीय प्रवाह वृद्धि तंत्र की सुविधा प्रदान करते हैं। यह जाली बेमेल को कम करता है और स्टैकिंग दोषों और थ्रेडिंग अव्यवस्थाओं के गठन को रोकता है, जो बाद की एपी परत की विद्युत विशेषताओं को स्थिर करने के लिए आवश्यक है।

डिवाइस अलगाव के लिए नियंत्रित प्रतिरोधकता:पावर आईसी और एनालॉग अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से इंजीनियर किए गए, ये सबस्ट्रेट्स प्रदान करते हैंस्थिर सामग्री गुणअत्यधिक समान डोपेंट प्रोफ़ाइल के साथ। यह सब्सट्रेट पर सटीक नियंत्रण की अनुमति देता है, डिवाइस अलगाव को बढ़ाता है और उच्च आवृत्ति और उच्च वोल्टेज वातावरण में परजीवी कैपेसिटेंस को कम करता है।

उच्च-शुद्धता थर्मल लचीलापन:प्रत्येक सब्सट्रेट को ऑटो{0}}डोपिंग और थर्मली प्रेरित वारपेज को रोकने के लिए अंतरालीय ऑक्सीजन और धात्विक अशुद्धियों के लिए कठोर सहनशीलता द्वारा नियंत्रित किया जाता है। इसकी बेहतर यांत्रिक शक्तिन्यूनतम भिन्नता के साथ एकाधिक प्रसंस्करण चरणों का समर्थन करता है, उच्च तापमान सीवीडी (रासायनिक वाष्प जमाव) और तीव्र तापीय प्रसंस्करण (आरटीपी) चक्रों के दौरान ज्यामितीय निष्ठा बनाए रखना।

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