सिलिकॉन प्रोसेस बेस
इस सिलिकॉन प्रोसेस बेस को एक के रूप में कार्य करने के लिए सावधानीपूर्वक तैयार किया गया हैस्थिर विनिर्माण मंचउन्नत इलेक्ट्रॉनिक उपकरण एकीकरण के लिए। से पूर्ण स्पेक्ट्रम का समर्थन करना2 इंच (50 मिमी) से 12 इंच (300 मिमी), इन आधारों को एक उच्च निष्ठा इंटरफ़ेस प्रदान करने के लिए डिज़ाइन किया गया है जो सबसे अधिक गहनता को सहन करने में सक्षम हैथर्मल और यांत्रिक चरणसंरचनात्मक या विद्युत अखंडता से समझौता किए बिना।
समझौता न करने वाली संरचनात्मक अखंडता:आधार को इंजीनियर किया गया हैनिर्माण के दौरान इसकी अखंडता बनाए रखें, उच्च तापमान प्रसार और तीव्र तापीय प्रसंस्करण (आरटीपी) के दौरान भी सूक्ष्म {{0}वार्पिंग और जाली फिसलन का विरोध करता है। यह संरचनात्मक लचीलापन सुनिश्चित करता है कि बहु-परत संरेखण सटीक रहे, जो उच्च-घनत्व तर्क के विकास के लिए महत्वपूर्ण है औरपावर आईसी (आईजीबीटी/एमओएसएफईटी)आर्किटेक्चर.
न्यूनतम प्रक्रिया भिन्नता:विश्वसनीय सामग्री व्यवहार उच्च उपज वाले विनिर्माण की आधारशिला है। अत्यधिक समान रेडियल प्रतिरोधकता प्रोफ़ाइल को बनाए रखने और अंतरालीय अशुद्धियों को कम करके, हमारी प्रक्रिया आधार बनती हैअप्रत्याशित भिन्नता को कम करेंनक़्क़ाशी दर और पतली -फ़िल्म जमाव में। यह स्थिरता विविध उत्पादन बैचों में अधिक पूर्वानुमानित प्रक्रिया विंडो की अनुमति देती है।
जटिल मार्गों के साथ अनुकूलता:के लिए तैयार किया गयाजटिल प्रसंस्करण मार्ग, आधार आधुनिक स्वचालित फाउंड्रीज़ के भीतर निर्बाध रूप से कार्य करता है। इसकी बेहतर सतह आकृति विज्ञान और किनारे की प्रोफाइलिंग रासायनिक प्लानराइजेशन (सीएमपी) और आयन प्रत्यारोपण के दौरान दीर्घकालिक स्थिरता का समर्थन करती है, जिससे यह सुनिश्चित होता है कि तैयार घटक ऑटोमोटिव और औद्योगिक क्षेत्रों में सबसे कड़े विश्वसनीयता मानकों को पूरा करते हैं।
