सिलिकॉन सब्सट्रेट वेफर्स

सिलिकॉन सब्सट्रेट वेफर्स

ये प्रीमियम सिलिकॉन सबस्ट्रेट्सइलेक्ट्रॉनिक उपकरण निर्माण के लिए मूलभूत सामग्री के रूप में कार्य करें, आधुनिक सेमीकंडक्टर पारिस्थितिकी तंत्र के लिए एक मजबूत और अत्यंत शुद्ध टेम्पलेट प्रदान करता है। उच्च परिशुद्धता Czochralski (CZ) पुलिंग और मल्टी{3}स्टेज केमिकल {{4}मैकेनिकल प्लेनराइजेशन (सीएमपी) के माध्यम से इंजीनियर किए गए, हमारे वेफर्स परमाणु परत जमाव और जटिल आयन आरोपण के लिए एक प्राचीन सतह प्रदान करते हैं। यह वास्तुशिल्प अखंडता यह सुनिश्चित करती है कि सब्सट्रेट सक्रिय लॉजिक गेट्स और निष्क्रिय इंटरकनेक्ट संरचनाओं दोनों के लिए एक निष्क्रिय लेकिन उच्च प्रदर्शन वाला होस्ट बना रहे।

स्थिर भौतिक और विद्युत गुण:हमारे सबस्ट्रेट्स रेडियल प्रतिरोधकता और जाली अभिविन्यास के लिए कठोर सहनशीलता द्वारा नियंत्रित होते हैं, जोविविध प्रसंस्करण तकनीकों का समर्थन करेंउच्च तापमान प्रसार से लेकर प्लाज्मा नक़्क़ाशी तक। यह स्थिरता सुनिश्चित करती है कि सब्सट्रेट {{2} से {{3} डिवाइस इंटरफ़ेस स्थिर बना रहे, परजीवी प्रभाव को कम करता है और संपूर्ण 200 मिमी/300 मिमी वेफर सतह पर पूर्वानुमानित ट्रांजिस्टर प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।

अनुकूलित थर्मल-यांत्रिक तटस्थता:लाइन (FEOL) प्रोसेसिंग के फ्रंट{0}एंड-के तीव्र थर्मल बजट को झेलने के लिए विशेष रूप से डिज़ाइन किए गए, ये वेफर्स थर्मल स्ट्रेस और लैटिस स्लिप के लिए बेहतर प्रतिरोध प्रदर्शित करते हैं। यह संरचनात्मक लचीलापन रैपिड थर्मल एनीलिंग (आरटीए) और सीवीडी अनुक्रमों के दौरान सूक्ष्म {{4}वार्पेज को रोकता है, उप-माइक्रोन फोटोलिथोग्राफी और मल्टी{6}लेयर 3डी स्टैकिंग के लिए आवश्यक ज्यामितीय निष्ठा को बनाए रखता है।

उन्नत एकीकरण के लिए सुपीरियर सतह अखंडता:सबसे कड़े एसईएमआई मानकों का पालन करते हुए, हमारे वेफर्स में अल्ट्रा{0}लो लाइट पॉइंट डिफेक्ट्स (एलपीडी) और एटॉमिक{1}स्केल सतह खुरदरापन शामिल है। यह रासायनिक और भौतिक शुद्धता फोकस (डीओएफ) की स्थिर गहराई सुनिश्चित करती है और पैटर्न विरूपण को रोकती है, जिससे सब्सट्रेट प्रेरित उपज हानि के बिना उच्च घनत्व सीएमओएस, एमईएमएस और पावर आईसी आर्किटेक्चर के लगातार निर्माण की अनुमति मिलती है।

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